| 发明名称 |
INSULATING GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR, PRODUCTION THEREOF, AND INTEGRATED CIRCUIT DEVICE OF INSULATING GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH07263765(A) |
申请公布日期 |
1995.10.13 |
| 申请号 |
JP19940079327 |
申请日期 |
1994.03.24 |
| 申请人 |
AGENCY OF IND SCIENCE & TECHNOL |
发明人 |
AOYANAGI MASAHIRO;KUROSAWA ITARU;TAKADA SUSUMU;MATSUMOTO SATOSHI |
| 分类号 |
H01L39/22;H01L29/78;(IPC1-7):H01L39/22 |
主分类号 |
H01L39/22 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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