| 发明名称 |
PROCESSO BICMOS PER COLLETTORE CONTRODROGATO |
| 摘要 |
Processo BiCMOS in cui viene formata una regione di base in una regione di substrato di tipo n drogato in misura relativamente elevata. Boro viene impiantato a due diversi livelli d'energia formando la regione, di base ed una regione n controdrogata in prossimità della giunzione del collettore di base per impedire ionizzazione per urto. |
| 申请公布号 |
IT1255025(B) |
申请公布日期 |
1995.10.13 |
| 申请号 |
IT1992MI00749 |
申请日期 |
1992.03.30 |
| 申请人 |
INTEL CORPORATION (DELAWARE CORPORATION) |
发明人 |
CHAMBERS STEPHEN T;TAYLOR RICHARD G |
| 分类号 |
H01L27/06;H01L21/285;H01L21/331;H01L21/8249;H01L29/10;H01L29/73;H01L29/732;(IPC1-7):H01L |
主分类号 |
H01L27/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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