| 摘要 |
<P>L'invention concerne une mémoire à semi-conducteurs non volatile qui empêche un courant de fuite, attribué à l'utilisation d'un transistor à porte Y du type à seuil bas, de s'écouler d'une ligne de portes de commande ou d'une ligne de bits à laquelle est appliquée une haute tension pendant un cycle d'effacement ou pendant un cycle de programmation. <BR/> Selon l'invention, pendant la programmation des données, un transistor (T81) d'ajustement du niveau à la ligne d'entrée/sortie est rendu conducteur, mettant cette ligne à un niveau haut et rendant les transistors de porte Y (T71, T72) non conducteurs par l'application d'une tension négative entre leur source et leur porte. Pendant l'effacement des données, une ligne de porte de commande commune (CCGL) est mise à un niveau haut via un tampon (BF8) d'ajustement du niveau à cette ligne; les transistors de porte Y (T61, T62) sont rendus non conducteurs par suite de l'application d'une tension négative entre leur source et leur porte. <BR/> L'invention s'applique notamment à une mémoire morte électriquement effaçable et programmable.</P>
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