| 主权项 |
1.一种双载子接面电晶体的制造方法,适用于第一型半导体基板制造双载子接面电晶体,且上述第一型半导体基板当作上述双载子电晶体的集极区;而上述双载子接面电晶体的制造方法包括下列步骤:于上述半导体基板上形成第一遮蔽层;于上述第一遮蔽层的既定位置形成开口,而使上述第一遮蔽层被分割成受上述开口所围绕的中间遮蔽层及外围遮蔽层;于上述外围遮蔽层上形成第二遮蔽层;以上述第二遮蔽层为罩幕,经由上述开口,掺植第二型杂质至上述半导体基板,以形成第二型浓掺植区,且穿过上述中间遮蔽层,以于上述中间遮蔽层下的半导体基板形成第二型掺植区,进而形成上述双载子接面电晶体的基极区;施行热氧化,而于上述开口内的第二型浓掺植区上形成场区氧化物;去除上述遮蔽层;于上述半导体基板上形成导电层;掺植第一型杂质至上述导电层,并以上述场区氧化物为罩幕经由上述导电层而将上述第一型杂质扩散至上述基极区和集极区,进而分别形成上述双载子接面电晶体的射极区和上述集极区的接触区;以及将位于上述场区氧化物的导电层去除。2.如申请专利范围第1项所述之双载子接面电晶体的制造方法,其中,上述导电层为复晶矽。3.如申请专利范围第2项所述之双载子接面电晶体的制造方法,其中,上述第二型浓掺植区的深度大于第二型掺植区。4.如申请专利范围第3项所述之双载子接面电晶体的制造方法,其中,上述第一遮蔽层由垫层氧化物及氮化物构成。5.如申请专利范围第4项所述之双载子接面电晶体的制造方法,其中,上述第二遮蔽层为光阻。6.如申请专利范围第5项所述之双载子接面电晶体的制造方法,其中,上述第一型为N型,而上述第二型为P型。图示简单说明:第1图系显示习知双载子接面电晶体的剖面图;以及第2图系显示用以说明本发明之双载子接面电晶体的制造 |
