| 发明名称 | 阴极射线管的浸渍型阴极 | ||
| 摘要 | 本发明涉及阴极射线管的浸渍型阴极，该阴极可在低温850～950℃中使用，甚至在高的电流密度中有长的寿命和可靠性。该阴极射线管的浸渍型阴极包括其内部浸渍了电子发射材料的多孔阴极块，该多孔阴极块表面上有W-Sc(或W-Sc<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>)层，并且在W-Sc(或W-Sc<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>)层上有至少由稀土金属Ir、Os、Ru和Re中两种形成的合金层。 | ||
| 申请公布号 | CN1110002A | 申请公布日期 | 1995.10.11 |
| 申请号 | CN94117865.X | 申请日期 | 1994.10.05 |
| 申请人 | 株式会社金星社 | 发明人 | 金永九 |
| 分类号 | H01J29/04;H01J29/48;H01J1/14 | 主分类号 | H01J29/04 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 马莹 |
| 主权项 | 1、一种阴极射线管的浸渍型阴极，其特征是它包括：其内浸渍了电子发射材料的多孔阴极块，所述多孔阴极块在其表面有一W-Sc(或W-Sc2O3)层，并且在W-Sc(或W-Sc2O3)上有至少由稀土金属Ir、Os、Ru和Re中两种形成的合金层。 | ||
| 地址 | 韩国汉城 | ||