| 摘要 |
La tensione di breakdown di un transistore VDMOS è marcatamente aumentata, mantenendo inalterate le caratteristiche elettriche del dispositivo, introducendo un impianto di isolamento di campo (abitualmente presente nei più avanzati processi misti), effettuato in modo autoallineato nella regione di transizione tra ossido spesso di campo e ossido sottile di gate e vincolandolo al potenziale di source del transistore. Questa diffusione è posizionata in modo tale che la sua diffusione laterale si estenda oltre la regione di ossido spesso di campo sotto la regione di ossido sottile di gate. La regione così costituita separa una matrice di celle di source da una diffusione profonda di drain. La connessione elettrica può essere facilmente realizzata estendendo la diffusione di body di una o più celle periferiche affacciate alla zona di bordo fino ad intersecare la diffusione di isolamento di campo sottostante il bordo dell'ossido di campo sovrastato dalla struttura di field-plate. E' sufficiente estendere la regione di body di una cella periferica ogni certo numero di celle di bordo per stabilire tale connessione salvaguardando il funzionamento delle altre celle periferiche così da non ridurre in modo sensibile il perimetro attivo del canale del dispositivo. L'invenzione è particolarmente utile nel caso di VDMOS integrati in processi misti ad alta densità in cui se si vogliono appunto contenere le dimensioni non è possibile o pratico formare diffusioni profonde per le celle periferiche di bordo per aumentare il raggio di curvatura della giunzione body/drain. |
