| 发明名称 |
Procédé de gravure sous plasma d'une couche conductrice sur une tranche de silicium avec interposition d'une couche isolante mince. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2707796(B1) |
申请公布日期 |
1995.10.06 |
| 申请号 |
FR19930008217 |
申请日期 |
1993.06.30 |
| 申请人 |
SGS THOMSON MICROELECTRONICS SA |
发明人 |
GUILLAUMOT BERNARD |
| 分类号 |
H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/3213;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/26 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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