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发明名称 Integrierter Halbleiterschaltkreis mit einem Belastungsschaltkreis und Verfahren zum Anlegen einer Belastungsspannung von demselben
摘要
申请公布号 DE19508680(A1) 申请公布日期 1995.10.05
申请号 DE19951008680 申请日期 1995.03.10
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD., SUWON, KR 发明人 LEE, KYU-CHAN, SEOUL/SOUL, KR
分类号 G11C11/413;G11C11/401;G11C11/407;G11C29/00;G11C29/02;G11C29/06;G11C29/50;G11C29/56;(IPC1-7):G11C29/00;H01L21/66;G01R31/28;G01R31/26 主分类号 G11C11/413
代理机构 代理人
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