Verfahren zur gerichteten Modulation der Zusammensetzung oder Dotierung von Halbleitern, insbesondere zur Realisation von planaren monolithischen elektronischen Komponenten sowie Verwendung und produkte dafür.
摘要
申请公布号
DE69021917(D1)
申请公布日期
1995.10.05
申请号
DE1990621917
申请日期
1990.03.23
申请人
THOMSON-CSF, PARIS, FR
发明人
KARAPIPERIS, LEONIDAS, F-92045 PARIS LA DEFENSE, FR;PRIBAT, DIDIER, F-92045 PARIS LA DEFENSE, FR
