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<p>Die Erfindung betrifft eine Diode mit halbleitender Schicht und mit dieser flächenhaft verbundenen, metallisch leitenden Schichten. Es ist dabei Aufgabe der Erfindung, eine solche Diode zu schaffen, bei der die Schaltzeit verbessert ist. Zur Lösung dieser Aufgabe wird die eine metallisch leitende Schicht lichtdurchlässig ausgebildet und die andere metallisch leitende Schicht mit einem Substrat verbunden. Es wurde erkannt, daß bei Verwendung einer vertikalen Anordnung die Transitzeit der Ladungsträger so weit verringert wird, daß die Schaltzeit lediglich noch von der RC-Zeitkonstante der Schichtstruktur bestimmt ist.</p> |
