Method of fabrication of a single electron device.

摘要

Zur Herstellung eines Einzelelektroden-Bauelementes in MOS-Technik wird in einem Siliziumsubstrat (14) ein aktives Gebiet definiert, das mit einem Gatedielektrikum (16) versehen wird. Mit Hilfe eines Feinstrukturierungsverfahrens, insbesondere mit Elektronenstrahl-Lithographie, wird eine erste Gateebene (12) mit feinen Strukturen < 100 nm erzeugt, deren Oberfläche und Flanken mit einer isolierenden Schicht (17, 17a) bedeckt werden. Es wird eine zweite Gateebene (13) erzeugt, die die feinen Strukturen der ersten Gateebene (12) mindestens im Bereich des aktiven Gebietes überdeckt.