发明名称 形成半导体积体电路之方法
摘要 一种薄膜半导体装置或积体电路,包括一绝缘基体;形成于该基体上之TFTs(薄膜电晶体)及多层导电互接,该电路具有成为闸极电极及闸极互接之一第一金属喷镀层,该第一金属喷镀层之表面系藉阳极氧化予以氧化,以于第一金属喷镀层表面上形成一绝缘披覆;成为源极及吸极电极或导电互接之第二金属喷镀层随后即直接地或经由一内层绝缘体形成于该绝缘披覆上,于是本发明对于产量之增进及可信赖度之增进上均得以完成。
申请公布号 TW258835 申请公布日期 1995.10.01
申请号 TW083100884 申请日期 1992.09.23
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 山崎舜平;竹村保彦;鱼地秀贵;间濑晃
分类号 H01L21/425;H01L31/655 主分类号 H01L21/425
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项
地址 日本