形成插栓式埋窗之方法

摘要

本案系一种形成插栓式埋窗之方法，包括：1)隔离位于一矽基体上之各元件区；2)形成一闸极氧化层于该矽基体之上；3)形成一复晶矽层（poly）或复晶金属矽化物（polycide）层于该闸极氧化层之上；4)形成一埋窗（buried contact）于该矽基体之上；5)形成一薄氧化层于该复晶矽上及该埋窗内部各边壁；6)植入离子至该埋窗底部，俾形成一埋窗离子植入区；7)形成复晶侧壁层于该埋窗部侧壁；8)除去位于该复晶矽层上方及该埋窗底部之薄氧化层；9)形成复晶矽插栓（plug）于该埋窗内；10)形成矽基体上各元件区之元件结构；俾避免于形成埋窗之过程中造成一穿入矽基体之沟槽。