以复晶矽植入剂量形成不同介电层厚度之神经元半导体制法及其构造

摘要

本发明系关于一种以复晶矽植入剂量形成不同介电层厚度之神经元半导体制法及其构造，尤指一种可令神经元半导体（ＵＭＯＳ）之各输入端与复晶矽闸极间形成不同介电层厚度，以使各输入端与闸极间形成不同电容数值，以免除知需以改变各输入端宽度之困扰，其主要即为透过光阻覆盖方式使复晶矽闸极不同区域进行不同剂量之离子植入，而使复晶矽闸极不同区域形成不同植入浓度，藉浓度之高低差异，使其于后续热氧化步骤时，可对应形成不同厚度之氧化层，使后续形成之各输入端与复晶矽闸极间形成不同高度，藉以改变各输入端与闸极间之耦合系数者。