| 主权项 |
理体从反应管中搬出。2.如申请专利范围第1项之 形成膜之方法,其中将矽烷系 气体以氢气或惰性气体稀释后供给反应管内,将被 处理体 表面予以还原处理。3.如申请专利范围第1项之形 成膜之方法,其中以氢气取 代矽烷系气体供给于反应管内而对被处理体表面 进行还原 处理。4.如申请专利范围第1项之形成膜之方法,其 中将被处理 体搬入及搬出反应管内时待机之搬入室内形成为 惰性气体 状态。5.如申请专利范围第1项之形成膜之方法,其 中将反应管 内之温度设定为抑制自然氧化膜之生长之温度后, 将被处 理体搬入反应管内。6.一种外延生长方法,其特征 为:在加热状态下将许多被 处理体搬入反应管内,在加热状态下将氢气及/或 矽烷系 气体供给于被处理体表面而对被处理体表面进行 还原处理 ,在加热状态及减压下供给生长气体而在被处理体 表面进 行外延生长,将经过外延生长之被处理体从反应管 内搬出 。7.一种外延生长方法,其特征为:在加热状态下将 许多被 处理体搬入反应管内,在加热状态下将表面处理气 体供给 于反应管内将被处理体表面清净化,在加热状态及 减压状 态下将生长气体供给于反应管内在被处理体表面 进行外延 生长。8.一种形成膜之方法,其特征为:在加热状态 下将许多被 处理体搬入反应管内,在加热状态及减压状态下将 惰性气 体供给于被处理体表面将被处理体表面清净化,在 加热状 态下在被处理体表面形成膜后,从反应管内搬出经 过成膜 之被处理体。9.如申请专利范围第8项之形成膜之 方法,其中惰性气体 系由氩气所构成。10.如申请专利范围第9项之形成 膜之方法,其中将被处 理体搬入及搬出反应管内时待机之搬入室内形成 为惰性气 体状态。11.如申请专利范围第9项之形成膜之方法 ,其中将反应 管内之温度设定为抑制自然氧化膜之生长之温度 后,将被 处理体搬入反应管内。第1图为表示实施本发明之 形成膜 之方法之纵型热处理装置之一例之纵断面图;第2 图为使 用于第1图所示纵型热处理装置之密封装置之一实 施例之 模式说明图;第3图为第2图所示密封装置之具体例 之纵 断面图;第4图为表示关于本发明之形成膜之过程 之一实 施例之过程与温度之关系之说明图;第5A图至第5C 图为本 发明第1实施例之成膜方法之过程之模式说明图; 第6图 为表示用来实施本发明之形成膜之方法之纵型热 处理装置 之实施例之纵断面图;第7图为用来实施本发明之 形成膜 之方法之纵型热处理装置之另一实施例之纵断面 图;第8 图为第7图所示纵型热处理装置之加热部之加热块 之透视 图;第9图为使用于第7图所示纵型热处理装置之晶 圆容 器之一部放大图;第10图为本发明第2实施例之外延 生长 过程之一实施例之过程与温度与关系之说明图;第 11A至 11C图为本发明第2实施例之外延生长方法之过程之 模式 说明图;第12图为表示外延生长方法中HC_2CO分压与 生成 SiO及SiOC_2C时之温度之关系之特性图;第13图为本发 明 第3实施例之另一形成膜之方法之过程之实施例中 ,过程 与温度之关系之说明图;第14图为第3实施例之形成 膜之 方法中,还原处理后之降温过程中之氩气与压力, 界面氧 气量之关系之特性图;第15图为用来说明习用之形 成膜之 |
