| 发明名称 |
Carbon doping mosfet substrate to suppress hot electron trapping |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
HK152095(A) |
申请公布日期 |
1995.09.29 |
| 申请号 |
HK19950001520 |
申请日期 |
1995.09.21 |
| 申请人 |
HEWLETT-PACKARD COMPANY |
发明人 |
HOMAYOON HADDAD;LEONARD FORBES;WAYNE P. RICHLING |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/167;(IPC1-7):H01L29/167 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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