发明名称 Procédé de simulation d'un circuit de mémoire à accès multiples.
摘要 <P>L'invention concerne la simulation d'un circuit de mémoire à l'aide des ressources de mémoire de dispositifs logiques programmables. <BR/> Le circuit de mémoire à accès multiples (50) à réaliser comprend un réseau de mémoire ayant des positions d'enregistrement de données, des accès de lecture et des accès d'écriture. On crée de multiples réseaux de mémoire dupliqués (52a,..., 54a,...) pour établir autant d'accès de lecture et d'accès d'écriture que dans le circuit de mémoire à accès multiples. On marque les positions de mémoire dans les réseaux de mémoire dupliqués, pour indiquer la position de mémoire dans laquelle des données ont été écrites en dernier, pour que seules ces données soient lues par les divers accès de lecture. <BR/> Application à la conception des circuits intégrés.</P>
申请公布号 FR2717923(A1) 申请公布日期 1995.09.29
申请号 FR19950003507 申请日期 1995.03.24
申请人 QUICKTURN DESIGN SYSTEMS INC 发明人 HUANG THOMAS B.
分类号 G11C11/401;G06F17/50;G11C8/16;(IPC1-7):G06F17/60;G06F9/455 主分类号 G11C11/401
代理机构 代理人
主权项
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