Halbleitersubstrat mit dielektrischer Isolierung.,申请号DE1989623894-传众专利搜索

发明名称	Halbleitersubstrat mit dielektrischer Isolierung.
摘要
申请公布号	DE68923894(D1)	申请公布日期	1995.09.28
申请号	DE1989623894	申请日期	1989.03.31
申请人	KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP	发明人	YAMAGUCHI, YOSHIHIRO C/O PATENT DIVISION, 1-1 SHIBAURA 1-CHOME MINATO-KU TOKYO, JP;WATANABE, KIMINORI C/O PATENT DIVISION, 1-1 SHIBAURA 1-CHOME MINATO-KU TOKYO, JP;NAKAGAWA, AKIO C/O PATENT DIVISION, 1-1 SHIBAURA 1-CHOME MINATO-KU TOKYO, JP;FURUKAWA, KAZUYOSHI C/O PATENT DIVISION, 1-1 SHIBAURA 1-CHOME MINATO-KU TOKYO, JP;FUKUDA, KIYOSHI C/O PATENT DIVISION, 1-1 SHIBAURA 1-CHOME MINATO-KU TOKYO, JP;TANZAWA, KATSUJIRO C/O PATENT DIVISION, 1-1 SHIBAURA 1-CHOME MINATO-KU TOKYO, JP
分类号	H01L21/02;H01L21/762;H01L27/12;(IPC1-7):H01L21/76;H01L29/04;H01L21/304	主分类号	H01L21/02
代理机构		代理人
主权项
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