| 摘要 |
<p>Procédé permettant d'éviter les étapes complémentaires de masquage dans la réalisation des composants à semi-conducteur, en procédant à une étape de traitement asymétrique entraînant l'auto-alignement du masquage sur une structure réalisée antérieurement (20) sur un substrat (30). Au cours de cette étape de traitement asymétrique, une source lumineuse est appliquée sur le substrat, sous un angle d'incidence donné (40) pour obtenir une région ombrée (25). Cette région ombrée (25), est obtenue, au cours de l'étape de traitement asymétrique, à l'aide de la structure constituée préalablement (20). Lorsque cette région est revêtue, le traitement n'agit pas sur cette région (25). Lorsqu'elle ne l'est pas, le traitement n'agit pas non plus sur elle. Ainsi, pour cette étape de traitement, la région (25) agira comme s'il existait un masque, sans qu'il soit nécessaire de procéder préalablement à un masquage.</p> |
