| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine Dünnschicht-Solarzelle auf der Basis des amorphen, hydrierten Siliciums und seiner Legierungen mit wenigstens einer aus aufeinanderfolgender p-, i- und n-dotierter Schicht bestehenden Schichtenfolge, einer der ersten p-dotierten Schicht benachbarten TCO-Schicht und einer mit der letzten n-dotierten Schicht verbundenen, metallischen Kontaktschicht. Zur Begünstigung des Wirkungsgrads der Solarzelle weist sie zwischen der TCO-Schicht und der mit dieser benachbarten p-dotierten Schicht eine n-dotierte Zwischenschicht auf, wobei wenigstens diese oder die ihr benachbarte, p-dotierte Schicht mikrokristallin ist. Im Ergebnis trägt diese Maßnahme dazu bei, daß der Füllfaktor verbessert und die Leerlaufspannung verringert wird.</p> |
