MAKING METHOD OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE,申请号KR19920009122-传众专利搜索

发明名称	MAKING METHOD OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
摘要
申请公布号	KR950011029(B1)	申请公布日期	1995.09.27
申请号	KR19920009122	申请日期	1992.05.28
申请人	TOSHIBA CORP.	发明人	YAMADA, SEIJI
分类号	H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/788;H01L21/334	主分类号	H01L21/8247
代理机构		代理人
主权项
地址