| 发明名称 | 半导体薄膜及使用这种薄膜的半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明之半导体膜的制造方法，包含：(a)于表面具有绝缘性的基板上形成非晶半导体膜的工艺步骤；(b)将可促进该非晶半导体膜结晶化的物质导入该非晶半导体膜的至少一部分区域的工艺步骤；(c)借助于加热该非晶半导体膜使之结晶化，而从该非晶半导体膜得到结晶性半导体膜的工艺步骤；(d)使该结晶性半导体膜的表面氧化，该结晶性半导体膜的表面形成一含有可促进结晶化的物质的一部分的氧化半导体膜的工艺步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN1109213A | 申请公布日期 | 1995.09.27 |
| 申请号 | CN94112771.0 | 申请日期 | 1994.12.27 |
| 申请人 | 夏普公司 | 发明人 | 船井尚;牧田直树;山元良高;森田达夫 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L21/265;H01L21/322 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨丽琴 |
| 主权项 | 1、一种半导体膜的制造方法，该法包含：(a)在表面具有绝缘性的基板上形成非晶半导体膜的工艺步骤；(b)将可促进该非晶半导体膜结晶化的物质导入该非晶半导体膜的至少一部分区域的工艺步骤；(c)通过加热该非晶半导体膜使之结晶化，由该非晶半导体膜得到结晶性半导导体膜的工艺步骤；(d)使该结晶性半导体膜的表面氧化，在该结晶性导半体膜的表面形成一含有可促进该结晶化之物质的一部分的氧化半导体膜的工艺步骤。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||