| 发明名称 |
Three-terminal thyristor with single mos-gate controlled characteristics |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB9515324(D0) |
申请公布日期 |
1995.09.20 |
| 申请号 |
GB19950015324 |
申请日期 |
1995.07.26 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L29/74;H01L29/745;H01L29/749 |
主分类号 |
H01L29/74 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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