METODO DE FABRICAR HILOS CUANTICOS DE SILICIO.

摘要

UN METODO PARA LA FABRICACION DE CABLES CUANTICOS SEMICONDUCTORES EN QUE SU UTILIZA UN PLAQUITA SEMICONDUCTORA (14) COMO EL MATERIAL INICIAL. LA PLAQUITA (14) ES DEL TIPO P DEBILMENTE DOPADA CON UNA CAPA P DELGADA MUY DOPADA DENTRO PARA QUE LA CORRIENTE FLUYA DE MANERA UNIFORME. LA PLAQUITA (14) SE ANODIZA EN ACIDO FLUORHIDRICO ACUSOSO AL 20% PARA PRODUCIR UNA CAPA (5) GRUESA EN MICRAS CON UNA POROSIDAD DEL 70% Y BUENA CRISTALINIDAD. A CONTINUACION SE GRABA LA CAPA CON ACIDO FLUORHIDRICO CONCENTRADO, LO CUAL PROPORCIONA UNA VELOCIDAD DE ATAQUE LENTA. EL ATAQUE HACE QUE AUMENTE LA POROSIDAD A UN NIVEL DEL 80% EN LA REGION O SUPERIOR. A TAL NIVEL, LOS POROS SE SUPERPONEN Y SE ESPERA QUE SE FORMEN CABLES CUANTICOS AISLADOS CON DIAMETROS MENORES O IGUALES A 3 NM. LA CAPA GRABADA PRESENTA UNA EMISION FOTOLUMINISCENTE A ENERGIAS FOTONICAS MUY POR ENCIMA DEL HUECO DE BANDA DE SILICIO (1,1 EV) Y QUE SE EXTIENDE HASTA LA REGION ROJA (1,6 - 2,0 EV) DEL ESPECTRO VISIBLE.