| 发明名称 |
Procédé d'isolement de zones actives d'un substrat semi-conducteur par tranchées peu profondes quasi planes, et dispositif correspondant. |
| 摘要 |
<P>Le dispositif semi-conducteur comprend au sein d'un substrat semi-conducteur (1) au moins une région prédéterminée de substrat (6) destinée à former ultérieurement une zone active, découverte au niveau de sa surface supérieure et située entre les tranchées latérales (7) contenant un matériau isolant comportant au moins une couche d'un oxyde dit conforme, le matériau isolant formant de part et d'autre de ladite région prédéterminée de substrat découverte, une bosse (16) sur la surface supérieure plane du dispositif. La hauteur de la bosse est inférieure à 1000 A et le matériau isolant peut comporter également de l'oxyde d'aplanissement.</P>
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| 申请公布号 |
FR2717307(A1) |
申请公布日期 |
1995.09.15 |
| 申请号 |
FR19940002871 |
申请日期 |
1994.03.11 |
| 申请人 |
PAOLI MARYSE;BROUQUET PIERRE;HAOND MICHEL |
发明人 |
PAOLI MARYSE;BROUQUET PIERRE;HAOND MICHEL |
| 分类号 |
H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/316;H01L21/76;H01L21/762;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/76 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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