| 摘要 |
<P>La présente invention concerne une structure formée dans un circuit intégré, comprenant au moins deux éléments conducteurs (42, 60) séparés par un intervalle (68) rempli d'un gaz. Une colonne conductrice (60) est portée par sa base au-dessus d'un substrat semiconducteur (21); un conducteur (42) est séparé de la colonne par un intervalle; et un matériau isolant (34, 46) délimite une cavité qui contient une partie de la surface latérale de la colonne (60) et une partie en regard de la surface du conducteur (42), des connexions (66, 62) étant assurées vers la colonne (60) et vers le conducteur (42).</P> |
