| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft einen Halbleiterdetektor für kurzwellige Strahlung, insbesondere im UV-Bereich, sowie das Verfahren zu dessen Herstellung. Bekannte Halbleiterdetektoren für den UV-Bereich weisen den Nachteil auf, daß insbesondere die empfindliche schmalbandige Detektion im Wellenlängenbereich unterhalb von etwa 350 nm erhebliche Schwierigkeiten bereitet. Der erfindungsgemäße Halbleiterdetektor hingegen erlaubt die schmalbandige Erfassung dieser Strahlung mit hoher Empfindlichkeit. Er besteht aus einem Substrat mit einer vorderseitig darauf angeordneten Halbleiterschicht. Substrat und Halbleiterschicht sind entweder durch eine Zwischenschicht elektrisch voneinander isoliert oder das Substrat selbst besteht aus einem Isolator. In der Halbleiterschicht sind Bestandteile eines Photodetektors in Form von unterschiedlich dotierten Bereichen und dem aktiven Detektorvolumen lateral nebeneinander angeordnet, wobei sich das aktive Detektorvolumen über die gesamte Dicke der Halbleiterschicht erstreckt, und die Dicke der Halbleiterschicht entsprechend der Eindringtiefe der nachzuweisenden Strahlung in diese Schicht eingestellt ist. Der Halbleiterdetektor kann z.B. als UV-Erythem-Reizschwellendetektor eingesetzt werden.</p> |
