POWER MOSFET IN SILICON CARBIDE.,申请号EP19940900484-传众专利搜索

发明名称	POWER MOSFET IN SILICON CARBIDE.
摘要
申请公布号	EP0671056(A1)	申请公布日期	1995.09.13
申请号	EP19940900484	申请日期	1993.10.27
申请人	CREE RESEARCH, INC.	发明人	PALMOUR, JOHN, W.
分类号	H01L29/12;H01L29/24;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/24;H01L29/772	主分类号	H01L29/12
代理机构		代理人
主权项
地址