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发明名称 A low-capacitance, high breakdown voltage programmed cell structure for read-only memory circuits.
摘要
申请公布号 EP0450389(B1) 申请公布日期 1995.09.13
申请号 EP19910104217 申请日期 1991.03.19
申请人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L. 发明人 GINAMI, GIANCARLO;LAURIN, ENRICO;LUCHERINI, SILVIA;VAJANA, BRUNO
分类号 G11C17/08;G11C17/12;H01L21/8246;H01L27/112;(IPC1-7):G11C17/12 主分类号 G11C17/08
代理机构 代理人
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