| 主权项 |
1.一种阶梯式闸极介电层结构之薄膜电晶体,适用于一绝缘材料上,该阶梯式闸极介电层结构之薄膜电晶体包括:一主动层,设置于该绝缘材料上,该主动层具有一汲极区,一源极区以及介于该汲极区和该源极区之一通道区;一闸极叠层,设置于该通道区上,该闸极叠层由下而上依序具有一闸极介电层和一闸极电极,该闸极介电层靠近该汲极区之一端的厚度大于该闸极介电层其余部份的厚度,用以减少漏电流。2.如申请专利范围第1项所述之阶梯式闸极介电层结构之薄膜电晶体,其中,该主动层是复晶矽物。3.如申请专利范围第2项所述之阶梯式闸极介电层结构之薄膜电晶体,其中,该闸极介电层是氧化矽物。4.如申请专利范围第3项所述之阶梯式闸极介电层结构之薄膜电晶体,其中,该闸极电极是经杂质掺杂之复晶矽物。5.如申请专利范围第4项所述之阶梯式闸极介电层结构之薄膜电晶体,其中,该薄膜电晶体是应用于静态随机存取记忆体内当作主动负载。6.一种阶梯式闸极介电层结构之薄膜电晶体的制造方法,适用于一绝缘材料上,该阶梯式闸极介电层结构之薄膜电晶体的制造方法包括:形成一主动层于该绝缘材料上;形成一端具有一凸面之介电层于该主动层的既定位置,再形成一导电层于该介电层上;以该导电层做罩幕,布植杂质进入该主动层,形成二浓布植区,而与该介电层该凸面紧邻之该浓布植区为一汲极区,另一该浓布植区为一源极区。7.如申请专利范围第6项所述之阶梯式闸极介电层结构之薄膜电晶体的制造方法,其中,形成具有该凸面之该介电层的步骤包括:形成一厚介电层于该主动层上,然后,形成一罩幕遮蔽于欲形成该凸面的区域,再蚀刻未被该罩幕遮蔽之该介电层,成为薄介电层,而形成具有该凸面之该介电层。8.如申请专利范围第7项所述之阶梯式闸极介电层结构之薄膜电晶体的制造方法,其中,该主动层是复晶矽物。9.如申请专利范围第8项所述之阶梯式闸极介电层结构之薄膜电晶体的制造方法,其中,该介电层是氧化矽物。10.如申请专利范围第9项所述之阶梯式闸极介电层结构之薄膜电晶体的制造方法,其中,该导电层是经杂质掺杂后之复晶矽物。图示简单说明:第1图系显示习知之薄膜电晶体基本结构的剖面图;第2图系显示习知之偏移通道结构的薄膜电晶体剖面图;第3图系显示用以说明本发明之阶梯式闸极介电层结构之 |
