发明名称 |
Fremgangsmåte for å dempe initiering eller forplantning av en sprekk i en overflate til en metallkomponent i en vannkjölt kjernereaktor eller tilknyttet utstyr |
摘要 |
<p>Fremgangsmåte for å dempe initiering eller forplantning av en sprekk i en overflate til en metallkomponent i en vannkjølt kjernereaktor eller tilknyttet utstyr Fremgangsmåte for å dempe sprekk- vekst på overflaten av rustfritt stål eller andre metallkomponenter i en vannavkjølt kjernereaktor. En forbin- delse som inneholder et edelmetall, f.eks. palladium, sprøytes inn i vannet for reaktoren i form av en oppløsning eller suspensjon. Forbindelsen har den egenskap at den spaltes under reaktor- termiske betingelser under frigjøring av ioner/atomer av edelmetallet som innarbeides i eller avsettes på sprek- kens innvendige overflater. Forbindel- sen kan være av organisk, organometal- lisk, f.eks. palladiumacetylacetonat, eller uorganisk art. Palladiumet avsatt på innsiden av en sprekk bør oppvise katalytisk oppførsel selv dersom bulk- overflatepalladiumet blir utarmet under høyfluidstrømningsbetingelser.Resul- tatet er at det elektrok j etniske poten- sial på insiden av sprekken minskes til et nivå under det kritiske potensial for beskyttelse mot interkrystallinsk spenningskorrosj onssprekking.</p> |
申请公布号 |
NO950882(A) |
申请公布日期 |
1995.09.11 |
申请号 |
NO19950000882 |
申请日期 |
1995.03.07 |
申请人 |
GENERAL ELECTRIC CO |
发明人 |
HETTIARACHCHI, SAMSON;COWAN II, ROBERT LEE;DIAZ, THOMAS POMPILIO;WOZADLO, GARY PAUL |
分类号 |
G21D1/00;B01J37/03;C23F11/08;C23F11/18;C23F15/00;G01N17/02;G21C3/07;G21C17/02;G21C17/022;G21C19/28;G21C19/30;G21C19/307;G21D3/08;(IPC1-7):G21C21/00 |
主分类号 |
G21D1/00 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|