发明名称 Fremgangsmåte for å dempe initiering eller forplantning av en sprekk i en overflate til en metallkomponent i en vannkjölt kjernereaktor eller tilknyttet utstyr
摘要 <p>Fremgangsmåte for å dempe initiering eller forplantning av en sprekk i en overflate til en metallkomponent i en vannkjølt kjernereaktor eller tilknyttet utstyr Fremgangsmåte for å dempe sprekk- vekst på overflaten av rustfritt stål eller andre metallkomponenter i en vannavkjølt kjernereaktor. En forbin- delse som inneholder et edelmetall, f.eks. palladium, sprøytes inn i vannet for reaktoren i form av en oppløsning eller suspensjon. Forbindelsen har den egenskap at den spaltes under reaktor- termiske betingelser under frigjøring av ioner/atomer av edelmetallet som innarbeides i eller avsettes på sprek- kens innvendige overflater. Forbindel- sen kan være av organisk, organometal- lisk, f.eks. palladiumacetylacetonat, eller uorganisk art. Palladiumet avsatt på innsiden av en sprekk bør oppvise katalytisk oppførsel selv dersom bulk- overflatepalladiumet blir utarmet under høyfluidstrømningsbetingelser.Resul- tatet er at det elektrok j etniske poten- sial på insiden av sprekken minskes til et nivå under det kritiske potensial for beskyttelse mot interkrystallinsk spenningskorrosj onssprekking.</p>
申请公布号 NO950882(A) 申请公布日期 1995.09.11
申请号 NO19950000882 申请日期 1995.03.07
申请人 GENERAL ELECTRIC CO 发明人 HETTIARACHCHI, SAMSON;COWAN II, ROBERT LEE;DIAZ, THOMAS POMPILIO;WOZADLO, GARY PAUL
分类号 G21D1/00;B01J37/03;C23F11/08;C23F11/18;C23F15/00;G01N17/02;G21C3/07;G21C17/02;G21C17/022;G21C19/28;G21C19/30;G21C19/307;G21D3/08;(IPC1-7):G21C21/00 主分类号 G21D1/00
代理机构 代理人
主权项
地址