| 发明名称 | 一种形成薄和厚金属层的方法 | ||
| 摘要 | 本方法在基片上形成第一种厚度的第一金属区和第二种厚度的第二金属区，其中第二种厚度大于第一种厚度。该方法包括下面步骤：沉积第一种厚度的第一金属层；沉积相对于第一金属层可选择性蚀刻的材料的屏蔽层，沿确定第一金属区轮廓光刻屏蔽层；沉积第二金属层；沿确定第二金属区的轮廓形成一层保护层；蚀刻第一和第二金属层。 | ||
| 申请公布号 | CN1108003A | 申请公布日期 | 1995.09.06 |
| 申请号 | CN94119100.1 | 申请日期 | 1994.12.01 |
| 申请人 | SGS-汤姆森微电子公司 | 发明人 | J·希门尼斯 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/28;H01L23/52 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 徐汝巽 |
| 主权项 | 1、一种方法，它在基片上形成第一种厚度的第一金属区(M1-1，M1-2)及比第一种厚度厚的第二种厚度的第二金属区(M1-10，M2-10)，包括以下步骤：沉积第一种厚度的第一金属层(2)；沉积相对于第一种金属层可选择性蚀刻的材料的一层(11)；沿第一区轮廓光刻上述的材料；沉积第二金属层(7)；沿第二区轮廓形成屏蔽层(14)；以及蚀刻所述第一和第二金属层。因此，在用上述材料覆盖的位置保留了第一种厚度的第一层，和在第二金属层和第一金属层的迭合处中对应于用所述屏蔽层覆盖的位置保留了第二种厚度的第二层。 | ||
| 地址 | 法国根逖里 | ||