发明名称 MANUFACTURE OF MOS-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPH07235677(A) 申请公布日期 1995.09.05
申请号 JP19940049919 申请日期 1994.02.24
申请人 NEW JAPAN RADIO CO LTD 发明人 IINO YOSHIHISA
分类号 H01L21/336;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利