| 主权项 |
1.一种具有非接触式设定功能之切晶粒机,包含:一切削台,用以夹持半导体晶圆;一切割刀片,用以切割夹持在该切削台的该半导体晶圆;一间隙侦测装置,用以侦测该切割刀片与该切削台的上表面间之间隙是否为一预定値;一位置控制装置,用以移动该切割刀片,该间隙侦测装置系沿着垂直方向设于机体中,用以识别各位置;一非接触式侦测装置,用以在不接触的状况下以侦测该间隙侦测装置及该切割刀片之刀刃,该非接触式侦测装置系置于一标准位置,以便决定该切割刀片之位置是否处于该半导体晶圆之切割位置;以及一算术运算装置,用以计算该半导体晶圆之切割位置,于该间隙侦测装置侦测到该切割刀片与该切削台的上表面之间具有一预定间隙时,该计算系根据位置控制装置所识别的一位置,并于该非接触式侦测装置侦测到该间隙侦测装置及该切割刀片之刀刃时,该计算系根据该位置控制装置所识别的各位置。2.如申请专利范围第1项之切晶粒机,其中该间隙侦测装置包含:一切削台基准面,该切削台基准面与该切削台之表面有一特定的位置关系;一接触构件,该接触构件与该切割刀片之刀刃有一特定的位置关系;以及一接触侦测装置,用以侦测该切削台基准面与该接触构件间之接触;其中该算术运算装置计算切割位置,而于该接触侦测装置侦测到该切削台基准面与该接触构件间之接触时,该计算系根据该位置控制装置所识别的一位置,并于该非接触式侦测装置侦测到该接触构件及该切割刀片之刀刃时,该计算系该根据位置控制装置所识别的各位置。3.如申请专利范围第1项之切晶粒机,其中该间隙侦测装置包含:一接触开关,该接触开关系用于侦测其本身与该切削台之接触;以及一侦测构件,该侦测构件之位置与该接触开关位置及该切割刀片之刀刃位置有一预定关系;其中该算术运算装置计算切割位置,而于该接触开关侦测到该切割刀片之刀刃与该切削台表面之间具有一预定间隙时,该计算系该根据位置控制装置所识别的一位置,并于该非接触式侦测装置侦测到该侦测构件及该切割刀片之刀刃时,该计算系根据该位置控制装置所识别的各位置。4.如申请专利范围第2项之切晶粒机,其中系形成该接触构件的一末端表面,使该末端表面的曲率与该切割刀片外周边的曲率相同。5.如申请专利范围第3项之切晶粒机,其中系形成该侦测构件的一末端表面,使该本端表面的曲率与该切割刀片外周边的曲率相同。6.如申请专利范围第3项之切晶粒机,其中系将该接触开关的一尖端部0分用来作为该侦测构件。图示简单说明:图1是根据本发明第一实施例的切晶粒机各主要部分构造之透视图;图2图1所示的一刀片、一设定构件、一辅助设定构件、及一不接触设定感测器之侧视图;图3是本发明的不接触设定感测器构造之横断面图图4是根据本发明第一实施例的切晶粒机之控制系统方块图;图5是一侧视图,图中示出根据本发明第一实施例的切晶粒机中在设定构件与辅助设定台间之侦测接触作业;图6是一侧视图,图中示出:在根据本发明第一实施例的切晶粒机中,由不接触设定感测器侦测设定构件下端部分之作业;图7是一侧视图,图中示出:在根据本发明第一实施例的切晶粒机中,由不接触设定感测器侦测刀片之刀刃之作业;图8是一侧视图,图中示出在根据本发明第一实施例的切晶粒机中计算切割位置之方法;图9是一横断面图,图中示出在根据本发明第一实施例的切晶粒机中计算切割位置之方法;图10是一侧视图,图中示出:在本发明的第二实施例中,一刀片绕着一特定旋转轴线而进给之方式;图11是根据本发明第三实施例的切晶粒机各主要部分构造之透视图;图12图11所示的一刀片、一雷射罩、一接触开关、一夹持台、及一不接触设定感测器之侧视图;图13是根据本发明第三实施例的切晶粒机之控制系统方块图;图14是一侧视图,图中示出:在根据本发明第三实施例的切晶粒机中,调整雷射罩位置之作业;图15是一侧视图,图中示出:在根据本发明第三实施例的切晶粒机中,侦测接触开关与夹持台间接触之作业;图16是一侧视图,图中示出:在根据本发明第三实施例的切晶粒机中,由不接触设定感测器侦测雷射罩下方部分之作业;图17是一侧视图,图中示出:在根据本发明第三实施例的切晶粒机中,由不接触设定感测器侦测刀片之刀刃之作业;以及图18是一侧视图,图中示出在根据本发明第三实施例的切 |
