积体电路之接触窗铝突穿的检验技术

摘要

本发明揭露了一种积体电路之接触窗铝突穿(Contact Aluminum Spiking)的检验技术。通常，系利用电子显微镜(Scanning Electronic Microscope；SEM)来检验积体电路之接触窗的铝突穿现像，而最因难的是，必需准确的切中积体电路之接触窗图案，以获得接触窗图案之横面(CrossSection)样本，才能将样本置放于电子显微镜内分。本发明所揭露之铝突穿检验枝术，不需积体电路之横切面(Cross Section)样本，亦不需电子显微镜，而直接将积体电路置放于光学显微镜下(Optical Microscope)俯视分析即可(Top View Analysis)，是一种简单并且可靠的检验方法。

主权项

1.一种积体电路之接触窗铝突穿的检验方法,系包含:利用复晶矽染色溶液(Polysi Stained Solution)将铝突穿样本(Spiking Sample)染色至铝金属的颜色消失,而所述复晶矽染色液系由HNO@ss3.HF和DI水所组成;利用NH@ss4OH和H@ss2O@ss2溶液将障碍金属层(BarrierMetal)染色;利用10:1BOE和CH@ss3COOH溶液将二氧化矽层(SiliconDioxide)染色(Stained)。2.如申请专利范围第1项之方法,其中所述之障碍金属层(Barrier Metal)系指钛(Titanium;Ti)、氮化钛(NitrideTitanium;TiN)或钨化钛(Tunstung Titanium;TiW)等金属。3.如申请专利范围第1项之方法,其中所述之二氧化矽层系指介于矽基板和所述障碍金属层之间,隔绝导体用之绝缘膜。图示简单说明:图1为超大型积体电路(Ultra Large Scale Integration