| 主权项 |
1. 一种电浆处理方法,主要以静电吸附晶片等于( 处理) 室内之电极上来进行蚀刻处理者,其特征为:在去 除蚀刻 处理后之残留于前述晶片等之静电吸附力时,将利 用O 气 体之气体电浆来进行使带电于前述晶片等之电荷 放出于该 电浆中。2. 如申请专利范围第1项所记载之电浆处 理方法,其中, 前述蚀刻处理,系使用溴化氢为蚀刻气体之蚀刻处 理。3. 一种电浆处理方法,主要以静电吸附晶片等 于(处理) 室内之电极上来进行蚀刻处理者,其特征为:以含 溴气体 之电浆蚀刻含Si物质膜之后,在真空环境下,连续以 O 和 CHF 之混合气体的电浆来实施后处理。4. 如申请专 利范围第3项所记载之电浆处理方法,其中, 前述含溴气体系HBr和O之混合气体。5. 如申请专利 范围第3项所记载之电浆处理方法,其中, 前述含Si物质膜系聚矽(Poly-Si)系材料。6. 如申请 专利范围第3项所记载之电浆处理方法,其中, 前述含Si物质膜系形成于段差构造者。7. 一种电 浆处理方法,主要以静电吸附晶片等于(处理) 室内之电极上来进行蚀刻处理者,其特征为:以含 氯气体 之电浆蚀刻含Si物质膜后,在真空环境下,连续以O 和 CHF 之混合气体的电浆来实施后处理。8. 如申请专 利范围第7项所记载之电浆处理方法,其中, 前述含Si物质膜系聚矽(Poly-Si)系材料。9. 如申请 专利范围第7项所记载之电浆处理方法,其中, 前述含Si物质膜系形成于段差构造者。图示简单 说明: 图1系说明本发明之电浆处理方法之第1实施例用 之电浆处 理装置之概略图。 图2系本发明第1实施之动作说明用时间图。 图3系说明本发明之电浆处理方法之第2实施例用 之电浆处 理装置之概略图。 图4系显示在本发明之电浆装置方法中之蚀刻过程 之蚀刻 状态图。 图5系显示在本发明之电浆装置方法中之后处理过 程之灰 化状态图。 图6系显示在本发明之电浆装置方法之一实例之具 有段差 |
