Container for semiconductor device and method for manufacturing.

摘要

Die technische Entwicklung bei IC-Gehäusen zielt nicht nur in Richtung auf höhere Integration, höhere Anschlußzahlen, sondern auch auf geringere Bauhöhe. So werden mittlerweile für die Bauformen QFP, TSOP, UTSOP Montagehöhe von 0,8 mm, 1,0 mm bzw. 0,5 mm erreicht. Die bisherige Vorgehensweise aus einer Kombination von Verringerung der Chipdicke durch Rückseitendünnung nach der Vorderseitenstrukturierung und der Einsatz von partiell dünneren Leadframes bei konstanter Die-Bondtechnik stößt an physikalische Grenzen. Es wird ein System aus Chip 1 und Leadframe vorgeschlagen, das die Rückseite eines Chips 1 durch mechanischen Abtrag strukturiert und die korrespondierende Struktur im Fügebereich eines Leadframes darin versenkt.