| 发明名称 |
HIGH-WITHSTAND VOLTAGE INSULATED-GATE TYPE FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH07226505(A) |
申请公布日期 |
1995.08.22 |
| 申请号 |
JP19940006022 |
申请日期 |
1994.01.24 |
| 申请人 |
SEIKO INSTR INC |
发明人 |
SAITO NAOTO;KOJIMA YOSHIKAZU;SAITO YUTAKA;OSANAI JUN;ISHII KAZUTOSHI |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/8234;H01L27/088;(IPC1-7):H01L29/78;H01L21/823 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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