| 发明名称 |
METHOD FOR FORMING NITRIC COMPOUND SEMICONDUCTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH07221018(A) |
申请公布日期 |
1995.08.18 |
| 申请号 |
JP19940009691 |
申请日期 |
1994.01.31 |
| 申请人 |
SANYO ELECTRIC CO LTD |
发明人 |
HISHIDA YUJI;YOSHIE MUTSUYUKI |
| 分类号 |
C30B28/14;C30B33/00;H01L21/203;H01L21/205;(IPC1-7):H01L21/203 |
主分类号 |
C30B28/14 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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