| 发明名称 |
Verwendung einer Goldlegierung mit ueblichen Borgehalten zur Herstellung eines p-dotierten Bereiches in einem kristallinen Halbleiterkoerper |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1225393(B) |
申请公布日期 |
1966.09.22 |
| 申请号 |
DE1961S072936 |
申请日期 |
1961.03.11 |
| 申请人 |
SIEMENS-SCHUCKERTWERKE AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
NAGORSEN HANS |
| 分类号 |
C22C5/00;C23C10/22;H01L21/00 |
主分类号 |
C22C5/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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