CARBONO DE SUSTITUCION EN SILICIO.

摘要

LA INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA PRODUCIR SILICONA CON UNA SUSTITUCIONALIDAD APROXIMADA DEL 100% CON CONCENTRACIONES DE CARBONO MUY ALTAS HASTA 10 ELEVADO 21 CM ELEVADO -3 APROXIMADAMENTE, QUE TIENE CAPAS RECRISTALIZADAS DE BUENAS CUALIDADES CONTENIENDO NIVELES BAJOS DE DAÑO RESIDUAL, Y QUE EVITA LA PRECIPITACION DE CARBON MOVIL. ESTE METODO, COMPATIBLE CON EL ESTADO ACTUAL DE LA TECNOLOGIA DEL SILICIO VLSI, COMPRENDE LAS ETAPAS SECUENCIALES DE: IMPLANTAR UNA MICROPLAQUETA DE SILICIO CON IONES DE CARBONO, Y DOS ETAPAS DE RECOCCION DE LA MICROPLAQUETA DE SILICIO IMPLANTADA.