| 主权项 |
(1)令酐或醯亚胺与铜化合物及,于一种催化剂字在下,在至少含有二低级烷之下式所示多烷基一氯苯之中反应,以制造花青铜之一种制法其中R1及R2各代表一含碳原子数1-3之低级烷基;R3及R4各代表氢原子或含碳原子数1-3之低级烷基。(2)如请求专利部份第1项所述之方法,其中反应系于上述反应混合物中,在大气压或较高压力及130-280℃之温度下施行反应。(3)如请求专利部份第1项所述之方法,其中反应溶剂系于路易氏酸中,令氯甲苯,氯二甲苯,氯三甲苯,氯乙苯,氯二乙苯或氯丙苯与甲基氯,乙基氯或丙基氯或乙烯或丙烯反应制成(4)如请求专利部份第1项所述之方法,其中之反应溶剂系令一种含有碳原子敷1-3之至少二烷基之烷基苯的苯环行一氯化反应而制得。(5)如请求专利部份第1项所述之方法,其中反应溶剂系甲基─邻─乙基氯苯,乙基─间─乙基氯苯,─异丙基─邻─氯甲苯,─异丙基─间─氯甲苯,─异丙基─对─氯甲苯,异丙基─对─异丙基氯苯,三甲基─氯苯,2,4,6─三甲基─氯苯,2,3,5,6─四甲基─氯苯,2,3,4,6─四甲基─氯苯。(6)如请求专利部份第1项所述之方法,其中铜化合物系铜粉,氯化铜或有机酸铜盐,催化剂系氧化钼,钼酸铵,氧化硼或氧化钨。(7)如请求专利部份第1项所述之方法,其中酐及醯亚胺具有一对应于所期花青铜之取代基。 |
