首页
产品
黄页
商标
征信
会员服务
注册
登录
全部
|
企业名
|
法人/股东/高管
|
品牌/产品
|
地址
|
经营范围
发明名称
Methods for anisotropic etching of (100) silicon
摘要
Extremely high aspect ratio vertical walls may be constructed using sodium hydroxide etches of (100) orientation silicon. Mask bodies 18a, 18b and 18c are used to form vertical wall sections 20a, 20b and 20c from a silicon substrate 10.
申请公布号
US5441600(A)
申请公布日期
1995.08.15
申请号
US19930089241
申请日期
1993.07.09
申请人
BOSTON UNIVERSITY
发明人
SMITS, JAN G.
分类号
H01L21/308;(IPC1-7):H01L21/308
主分类号
H01L21/308
代理机构
代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
一种治疗斑秃的中药
一种具有环保功能的保温材料
一种热反应型核桃香精的制备方法
用于低谐波三相前端的集成磁性装置
一种焦化废水的生化出水深度处理与回用工艺
可循环用于橡胶轮胎制备保鲜隔离层制造方法
具有磷光体膜的封装发光二极管以及相关的系统和方法
一种基于优先级的数据传输方法和设备
一种香附四物汤透皮贴剂及其制备方法
解决交通拥堵的交通信息预测系统
确定给药信息的系统和方法
网络同步方法和装置
一种治疗消化不良的药物组合物
输液自动警报器
多个内容项和功能到电子内容项的应用
电动钻齿轮箱组装生产线传动接头装填机构
一种花生露的加工方法
稳定化的药物肽组合物
一种造纸压型辊辊头的压紧结构
光纤分配终端和部署光纤分配线缆的方法