Couche semi-conductrice composée de haute résistance et procédé pour sa croissance cristalline.

摘要

L'invention concerne une couche semi-conductrice composée de haute résistance dans un dispositif semiconducteur que l'on obtient en laminant un certain nombre de couches semi-conductrices composées ayant des compositions différentes.
Selon l'invention, un cristal d'un mélange semi-conducteur composé est développé en phase vapeur en employant un métal organique comprenant In, un métal organique comprenant Al et un composé hydrogéné ou un métal organique comprenant As comme matériau et il contient des impuretés du type p dont la concentration place le niveau de Fermi de la position de cristal du mélange semi-conducteur composé à peu près au centre de l'énergie de l'intervalle entre bandes.
L'invention s'applique notamment aux semi-conducteurs.