| 发明名称 |
DIODE FORMED ON SEMICONDUCTOR MATERIAL AND FORMATION THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH07211780(A) |
申请公布日期 |
1995.08.11 |
| 申请号 |
JP19940186070 |
申请日期 |
1994.08.08 |
| 申请人 |
TEXAS INSTR INC <TI> |
发明人 |
MITSUKU MEITAMU;DEIBU GAANHAMU |
| 分类号 |
H01L27/06;H01L21/8222;H01L29/167;H01L29/73;H01L29/861;(IPC1-7):H01L21/822 |
主分类号 |
H01L27/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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