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发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers mit vergrabener Streifenstruktur unter Verwendung von Trockenätzen zur Herstellung dieses Streifens und ein nach diesem Verfahren hergestellter Laser.
摘要
申请公布号 DE69201251(T2) 申请公布日期 1995.08.10
申请号 DE19926001251T 申请日期 1992.02.24
申请人 FRANCE TELECOM, PARIS, FR 发明人 BOUADMA, NOUREDINE, F-94250 GENTILLY, FR
分类号 H01L21/302;H01L21/306;H01L21/3065;H01L33/00;H01S5/00;H01S5/042;H01S5/227;(IPC1-7):H01S3/19 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
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