Verfahren zur Herstellung von biMOS-Halbleiterbauelementen mit verbesserter Schnelligkeit und Zuverlässigkeit.,申请号DE1990620708-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung von biMOS-Halbleiterbauelementen mit verbesserter Schnelligkeit und Zuverlässigkeit.
摘要
申请公布号	DE69020708(D1)	申请公布日期	1995.08.10
申请号	DE1990620708	申请日期	1990.12.27
申请人	OKI ELECTRIC INDUSTRY CO., LTD., TOKIO/TOKYO, JP	发明人	TSUBONE, KO, OKI ELECTRIC INDUSTRY CO., LTD., MINATO-KU, TOKYO, JP;UMEMURA, YOSHIO, OKI ELECTRIC INDUSTRY CO., LTD., MINATO-KU, TOKYO, JP;SHIMODA, KOUICHI, OKI ELECTRIC INDUSTRY CO.,LTD., MINATO-KU, TOKYO, JP
分类号	H01L29/73;H01L21/285;H01L21/331;H01L21/8249;H01L27/06;H01L29/732;(IPC1-7):H01L21/82	主分类号	H01L29/73
代理机构		代理人
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