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发明名称 Low temperature plasma nitridation process and applications of nitride films formed thereby.
摘要
申请公布号 EP0201380(B1) 申请公布日期 1995.08.09
申请号 EP19860400742 申请日期 1986.04.08
申请人 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION 发明人 KEYSER, THOMAS;CAIRNS, BRUCE R.;ANAND, KRANTI V.;PETRO, WILLIAM G.;BARRY, MICHAEL L.
分类号 H01L21/28;H01L21/318;H01L21/762;H01L21/763;H01L29/51;(IPC1-7):H01L21/318;H01L29/43 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
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