发明名称 半导体存储器件的字线驱动电路
摘要 一种用来在半导体存储器件中驱动连接于存储单元的字线以执行存储单元的数据存取操作的字线驱动电路,它包括:一个带有经由隔离栅场效应传送晶体管而连接于行译码信号的栅极节点且连接在字线和带有规定电压的字线驱动信号之间的隔离栅场效应上拉晶体管,一个用来向隔离栅场效应传送晶体管的栅极馈送根据规定的控制信号而产生的传送放大信号,使栅极节点至少在字线驱动信号被激活的前后预充电到至少高于电源电压的电路。
申请公布号 CN1106550A 申请公布日期 1995.08.09
申请号 CN94118176.6 申请日期 1994.11.09
申请人 三星电子株式会社 发明人 李在鎣
分类号 G06F13/16;G11C11/404 主分类号 G06F13/16
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 杜有文;马铁良
主权项 1、一种用于在半导体存储器件中驱动连接于存储单元的字线,以对所述存储单元的数据进行存取操作的字线驱动电路,所述的字线驱动电路包含:一个连接在所述字线和带有规定电压的字线驱动信号之间的隔离栅场效应上拉晶体管,所述上拉晶体管有一个经由隔离栅场效应传送晶体管连接于行译码信号的栅节点;以及向所述隔离栅场效应传送晶体管馈送根据规定的控制信号而发生的传送放大信号,从而使所述栅节点至少在所述字线驱动信号被激活的前后预充电至少高于电源电压的装置。
地址 韩国京畿道