| 发明名称 |
Memory semiconductor device employing a ferroelectric substance. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0389762(B1) |
申请公布日期 |
1995.08.09 |
| 申请号 |
EP19900102489 |
申请日期 |
1990.02.08 |
| 申请人 |
SEIKO EPSON CORPORATION |
发明人 |
TAKENAKA, KAZUHIRO, C/O SEIKO EPSON CORPORATION |
| 分类号 |
H01L27/115;(IPC1-7):H01L27/115;H01G4/12;G11C11/22 |
主分类号 |
H01L27/115 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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